群策群力 攻坚克难


2016-5-11 9:49:14

  NXP PC125DMB项目作为上海先进Fab3 2015年的重要上量项目,实现技术转移过程中,在PEM(Process Evaluation Module)可靠性测试片上发现,面型电容结构的TDDB可靠性测试通过而叉指电容结构的TDDB可靠性测试失效。TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)即经时介质击穿,表征与时间相关的介质电击穿,在Logic产品里是用来测试Gate Oxide可靠性的关键参数。该问题成为阻碍该工艺平台能否最终release的关键瓶颈。

 


 
  Fab3 PIE NXP团队在和客户专家、驻厂代表反复沟通与多组交叉实验论证下,把问题最终定位在Bona Metal和ILD层次,创造性地提出金属和SiN绝缘层应力不匹配是影响TDDB在PEM结构上失效的机理。并在此假设基础上设计分组实验,提出了多组解决方案。最后选用降低Alloy温度的最佳方案,减小了因金属热涨系数大造成和SiN绝缘层应力的不匹配,有效解决了TDDB失效。该项目最终顺利上量并通过客户验收,同时得到了客户认可并颁发感谢奖。
  回顾整个项目进程,Fab3 NXP团队不惧困难,集思广益,秉承客户至上的公司经营理念,圆满高质交付项目。不仅解决了项目的关键瓶颈,同时也培养了有经验的团队。在此过程中,部门间的高效协作也得到了很好体现,谨代表项目团队向质量测试部门的密切配合表示由衷感谢。

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