广迎各方专家 共论IGBT技术创新


2015-11-4 7:59:11

  2015年11月3日,中国上海,中国IGBT技术创新与产业联盟举办第一届学术论坛,上海先进半导体制造股份有限公司受联盟邀请作为主要协办单位,公司副总裁周卫平先生在论坛开幕式上致辞。
  致辞中周总向中国IGBT技术创新与产业联盟所起到的联盟平台作用表示感谢,促进各会员单位之间的合作交流有序推进,加强了国家、部委政策信息上传下达,为加快全知识产权的IGBT核心技术的发展步伐起到了积极的作用。周总号召各成员单位充分发挥各自资源优势,优势互补、资源共享、推进各个层次各个环节的合作,共同推进IGBT核心技术市场化的进程,并预祝本届论坛圆满成功。


 
上海先进副总裁周卫平先生在会上致辞

 

  论坛在联盟理事长丁荣军院士、联盟指导委员会主任叶甜春、联盟名誉理事长丁文武等领导讲话后正式开始。上午由中国科学院微电子研究所副所长刘新宇博士主持,电子科技大学微电子与固体电子学院教授张波做“IGBT技术发展”主题演讲,ABB半导体BiMOS研发部门经理Arnost Kopta博士做“Recent achievement and future development trends in high power IGBTs for demanding application”主题演讲,中车首席专家、教授级高工刘国友做“FRD技术及其发展趋势”主题演讲,中科君芯总工程师程炜涛做“IGBT芯片设计”主题演讲。下午由中车株洲所副总经理兼总工程师冯江华主持,西安卫光科技副总工程师白朝辉做“1700V IGBT设计研究”主题演讲,江苏宏微董事长兼总裁赵善麒做“IGBT封装技术及发展”主题演讲,国网智能电网研究院副院长汤广福做“基于电力电子器件的先进输电技术”主题演讲,中国一汽技术中心电机开发室主任赵慧超做“新能源车用IGBT需求分析与展望”主题演讲,嘉兴思达董事长兼总经理沈华做“高可靠性IGBT在新能源领域中的应用”主题演讲,天津中环半导体总经理助理李翔做“8~12寸熔硅单晶数值模拟及技术研究”主题演讲。
  专家演讲涵盖了国内外IGBT发展的最新技术成果和发展趋势,以及国内市场对IGBT的主要应用需求,获得观众热烈响应,现场领导和会员单位竞相向演讲嘉宾提问互动。演讲企业也带来了各自在IGBT领域最有竞争力的特色和优势,其中不乏与上海先进多年合作的同业伙伴。

 


专家演讲获得观众热烈响应

 

  第一届学术论坛作为中国IGBT技术创新与产业联盟首次举办的会员活动收获了圆满成功,反映出行业对于IGBT技术创新的关注,以及对于学术交流平台的渴求。追随实现IGBT产品的国产化,掌握IGBT芯片设计、芯片工艺制造、模块封装等核心技术的共同理想,在联盟的积极推进下,相信未来国内IGBT行业会得到更快更好发展。

 

沪ICP备14039536号 @ASMC 2014-2025版权所有 法律声明

沪公网安备 31010402000433号