MEMS

上海先进MEMS工艺分类

上海先进MEMS特有工艺发展路线图

Thinner and thinner vs. Deeper and deeper

上海先进前道MEMS工艺(不允许可动离子沾污)
  光刻
    可提供组合曝光(MEMS领域特殊需求)
    1X扫描式整片曝光(CD>2.5μm)
    1X接近式单面/双面曝光(CD>2.5μm)
    5X步进式曝光机(CD>0.6μm)
    常规和特殊工艺的涂胶和显影(双面、非常厚光刻胶、键合面光刻胶等)
  刻蚀
    深反应离子刻蚀(深宽比为1%~99%,刻穿,高深/宽比刻蚀,无底切,底部倾角良好,scallop量小等)
    硅湿法腐蚀
    二氧化硅/氮化硅刻蚀
    多晶硅刻蚀
    灰化
    金属刻蚀(干法/湿法)
    DLC刻蚀(LAM RAINBOW 4520)
    其他(BOE, DHF, 49% HF, H2O2+H2SO4, H3PO4, 清洗工艺)
  炉管
    N型炉管(1200℃)
    P型炉管(1200℃)
    低压化学气相淀积二氧化硅
    低压化学气相淀积氮化硅
    低压化学气相淀积多晶硅(N+/P+/非掺杂,510℃ to 620℃)
    金属合金
  薄膜
    金属溅射(VARIAN, MRC, ENDURA, VAPORATE for Ti, TiN, TiW, AlCu, AlSiCu, Ta, Pt, TiNiAg, Au etc.)
    非金属(oxide,低应力SiN,DLC)
    外延(桶式/单片式)
  键合
    SOI和C-SOI能力
上海先进后道MEMS工艺(允许可动离子沾污)
  光刻
    1X扫描式整片曝光(CD>2.5μm)
    1X接近式单面/双面曝光(CD>2.5μm)
    常规和特殊工艺的涂胶和显影(WEE、高台阶喷胶等)
  刻蚀
    深反应离子刻蚀(专门的后道设备)
    硅湿法腐蚀
    金属湿法腐蚀(Ti, TiN, TiW, AlCu, Cu)
    二氧化硅刻蚀
    氮化硅刻蚀
    灰化
    DLC刻蚀
    其他(BOE, DHF, 49% HF, H2O2+H2SO4, 清洗工艺)
  键合
    阳极键合
    共晶键合
    BCB键合
  炉管
    低压化学气相淀积多晶硅(非掺杂,510℃~620℃)
    合金
  薄膜
    金属溅射(Ti, TiW, AlCu, Cu)
    非金属(SiO2, SiN, DLC)
    铜电镀
  减薄
    磨片
    边缘处理
    划片

上海先进MEMS专用设备

  上海先进拥有超过10年的MEMS喷墨头加工经验
  上海先进工艺能力可以满足3轴陀螺仪、加速度计、流量传感器、压力传感器及光学MEMS等代工要求
  当前产能:3000片/月(计算基于20次光刻、6次DRIE和2次键合工艺)
  与多家在MEMS领域有较强实力的科研院所建立战略合作伙伴关系
  MEMS产线分为前道和后道,前道不允许可动离子沾污并与5"/6"IC线混合,后道允许Na+、K+的存在
  5"/6"厂面积4300m2,MEMS fab面积300m2

上海先进MEMS代工平台

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