Discrete

  上海先进具有IGBT大规模生产的经验,  2004年开始国内、外IGBT代工业务, 截止2015年6月累计IGBT晶圆出货量近80万片。
  上海先进2008年率先在国内建立IGBT背面工艺线,具备IGBT正面、背面、测试等完整IGBT工艺能力。
  上海先进IGBT的电压范围涵盖1200V、1700V、3300V、6500V ;技术能力涵盖了PT、NPT、Field Stop,以及平面、沟槽等。650V Trench-IGBT目前正在开发。
  上海先进在为国外大厂代工的同时, 特别重视与国内IGBT相关设计、封装、应用等公司之间的合作,并建立建设IGBT战略产业联盟。 积极融入高铁、动车、城轨高压大功率(6500V、3300V),新能源汽车,以及智能电网高压大功率(6500V 、3300V)等IGBT产业链。

上海先进IGBT/FRD技术现状与发展路线

上海先进IGBT工艺发展与产品应用

上海先进IGBT工艺技术积极融入国家战略产业链

IGBT/FRD正面工艺能力
  正面薄片工艺能力: 
    正面具备350um工艺能力
  “Field stop”工艺能力:
    具备3300V及以上 F/S (扩散薄片)工艺能力
    上海先进“P注入+退火”形成F/S(~20μm)
  正面厚铝金属工艺(压接式):
    目前“4μm+3μm”
    具备开发“4μm+8μm”压接式厚铝工艺能力
  Polyimide:
    低压成熟polyimide工艺:AP2210
    高压成熟polyimide工艺:116A
  FRD“P-type”深结(~20μm)扩散能力
IGBT/FRD背面工艺能力
  背面减薄工艺能力: 
    Taiko 工艺
    背磨厚度:150μm/100μm(到2015年底)
    硅表面处理:SEZ
  背面(图形)光刻能力
  背面注入:
    背面“B”注入
    “H”F/S注入(实验技术论证)
    高真空炉管退火(可以避免Polyimide氧化peeling)
  背面金属:
    金属前清洗:SZE
    背面金属(Al/Ti/Ni/Ag)高温蒸发
    背面厚金属:1.8μm Al(适合压接式厚铝)
    高真空炉管Alloy(可以避免金属peeling)
  FRD掺Pt或局域寿命控制(注H、He)技术在评估论证,先外包技术实验论证
静态CP参数测试能力:8000V/200A

上海先进MOSFET工艺平台

上海先进TVS工艺平台

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