IGBT/FRD

现有工艺平台

 

  上海先进拥有大规模生产IGBT的经验,自2004年开始提供IGBT国内、外代工业务。

 

  上海先进2008年率先在国内建立IGBT背面工艺线,具备IGBT正面、背面、测试等完整的IGBT工艺能力。上海先进IGBT/FRD的电压范围覆盖650V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V;技术能力包括PT、NPT、Field Stop,以及平面、沟槽IGBT等。

 

  上海先进在为国外客户提供代工服务的同时,特别重视国内战略客户,积极融入高铁、新能源汽车、智能电网等产业。

 

上海先进IGBT工艺发展与产品应用

 

上海先进IGBT工艺技术积极融入国家战略产业链

 

工艺能力

 

正面工艺能力

 

6英寸正面320μm薄片工艺能力
沟槽工艺能力
F/S工艺解决方案:P注入+高温炉管退火、外延、扩散片、背面高能H注入
FRD“RDiffus深结扩散
SIPOS工艺
正面厚铝金属工艺(压接式)
低压/高压成熟polyimide工艺

 

背面工艺能力


背面减薄工艺能力(直接减薄、Taiko减薄工艺、硅表面处理)
背面(图形)光刻能力
背面注入(背面“面注入s注入、炉管退火)
背面金属(金属前清洗、背面金属蒸发或溅射)


FRD寿命控制技术


测试能力


静态CP参数测试能力:8000V/200A
动态参数测试能力:1200V/800A
可靠性测试能力(HTRB, HTGB, HAST)

 

新工艺平台建设和规划

 

  上海先进6英寸晶圆厂具备完整的正面、背面工艺和静态/动态/可靠性测试能力;专注于平面IGBT和FRD工艺平台,电压覆盖1200V~6500V;技术发展路线包括NPT和Field Stop。
 

  上海先进8英寸晶圆厂目前具备正面、背面工艺和静态/动态/可靠性测试能力,专注于Trench Field Stop IGBT工艺平台,电压覆盖450V~1700V;技术发展路线为H注入Field Stop。

 

技术现状与发展路线

 

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