双面光刻工艺

掩膜版和硅片衬底
  硅片尺寸     1" to 150mm
  最大硅片尺寸   150×150mm
  硅片厚度     最厚10mm
  掩膜版尺寸    标准2"×2"至7"×7"
对准方式
  正面对准(TSA) 精度≤2μm
  背面对准(BSA) 精度≤4μm
  键合对准精度   5μm
曝光模式
  接触式      软接触、硬接触、真空接触
  接近式      曝光间距1~300mm
  间距设置精度   1μm

Dual-side Litho (SUSS)

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